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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIHG11N80AE-GE3
Code Commande3517215
Gamme de produitE
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds800V
Courant de drain Id8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.45ohm
Type de boîtier de transistorTO-247AC
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance78W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitE
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
8A
Type de boîtier de transistor
TO-247AC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
78W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
800V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.45ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
E
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIHG11N80AE-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00035