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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA466EDJ-T1-GE3
Code Commande3470685
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0095ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SC-70
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.5V
Dissipation de puissance19.2W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SC-70
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
19.2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0095ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.5V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00018
Traçabilité des produits