Imprimer la page
SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET de puissance, TrenchFET, Canal N, 200 V, 2.6 A, 1.38 ohm, SC-70, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
9 671 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,420 € |
| 500+ | 0,397 € |
| 1000+ | 0,389 € |
| 5000+ | 0,339 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
47,00 € (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de 5,00 € seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIA456DJ-T1-GE3
Code Commande2547295RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds200V
Courant de drain Id2.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1.38ohm
Type de boîtier de transistorSC-70
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1.4V
Dissipation de puissance19W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le SIA456DJ-T1-GE3 est un transistor MOSFET de puissance, à mode d'enrichissement en canal N, TrenchFET® 200VDS convient aux applications de convertisseur boost.
- Nouveau boîtier PowerPAK® thermiquement amélioré
- Empreinte petite surface
- Faible résistance "ON"
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.6A
Type de boîtier de transistor
SC-70
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
19W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1.38ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.4V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Singapore
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000049