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SI9435BDY-T1-E3
P CHANNEL MOSFET
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Modèle arrêté
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI9435BDY-T1-E3
Code Commande4336170
Fiche technique
Type de canalP Channel
Tension Vds max..30V
Courant de drain Id5.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance2.5W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
P Channel
Courant de drain Id
5.7A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
2.5W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Vds max..
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Taiwan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000199