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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1500+ | 1,290 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7469DP-T1-GE3
Code Commande2547304RL
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id28A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.021ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK SO
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI7469DP-T1-GE3 est un MOSFET de puissance en mode d'enrichissement, canal P TrenchFET® 80VDS avec diode antiparallèle.
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
28A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK SO
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.021ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000396
Traçabilité des produits