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SI7414DN-T1-GE3.
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7414DN-T1-GE3.
Code Commande2394469
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id8.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.021ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance1.5W
Nombre de broches8Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
8.7A
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
1.5W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.021ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000217
Traçabilité des produits