Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7223DN-T1-GE3
Code Commande2857067
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
2 904 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 1,390 € |
10+ | 0,866 € |
100+ | 0,583 € |
500+ | 0,456 € |
1000+ | 0,407 € |
5000+ | 0,372 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,39 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7223DN-T1-GE3
Code Commande2857067
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N6A
Courant de drain continu Id, Canal P6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.022ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.022ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P23W
Dissipation de puissance, Canal P23W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.022ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
23W
Gamme de produit
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
6A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.022ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Dissipation de puissance Canal P
23W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000272
Traçabilité des produits