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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI7212DN-T1-GE3
Code Commande3772774
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N4.9A
Courant de drain continu Id, Canal P4.9A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.03ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.03ohm
Type de boîtier de transistorPowerPAK 1212
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P1.3W
Dissipation de puissance, Canal P1.3W
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
4.9A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.03ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
1.3W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
4.9A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.03ohm
Type de boîtier de transistor
PowerPAK 1212
Dissipation de puissance Canal P
1.3W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits