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SI6954ADQ-T1-E3
MOSFET double, Canal N, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.044 ohm
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6954ADQ-T1-E3
Code Commande2335343
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N3.1A
Courant de drain continu Id, Canal P3.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.044ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.044ohm
Type de boîtier de transistorTSSOP
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P830mW
Dissipation de puissance, Canal P830mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
3.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.044ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
830mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
3.1A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.044ohm
Type de boîtier de transistor
TSSOP
Dissipation de puissance Canal P
830mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001