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SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 12 V, 8.2 A, 8500 µohm, TSSOP, Montage en surface
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|---|---|
| 1+ | 1,700 € |
| 10+ | 1,320 € |
| 100+ | 1,060 € |
| 500+ | 0,846 € |
| 1000+ | 0,794 € |
| 5000+ | 0,735 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI6423DQ-T1-GE3
Code Commande2335338
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds12V
Courant de drain Id8.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON8500µohm
Type de boîtier de transistorTSSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)1.8V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance1.05W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance TrenchFET® canal P 12V (D-S)
- Utilisé dans le commutateur de charge
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
8.2A
Type de boîtier de transistor
TSSOP
Tension de test Rds(on)
1.8V
Dissipation de puissance
1.05W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
12V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
8500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits