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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,160 € |
| 10+ | 1,390 € |
| 100+ | 0,952 € |
| 500+ | 0,740 € |
| 1000+ | 0,682 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4463BDY-T1-E3
Code Commande1497616
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id9.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.011ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)12V
Tension de seuil Vgs Max1.4V
Dissipation de puissance1.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Produits de remplacement pour SI4463BDY-T1-E3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
Le SI4463BDY-T1-E3 est un MOSFET de puissance en mode d'enrichissement, canal P TrenchFET® 2.5VGS avec diode antiparallèle.
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
9.8A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
12V
Dissipation de puissance
1.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.011ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Israel
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (15-Jun-2015)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00032
Traçabilité des produits