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SI4425FDY-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 18.3 A, 0.0095 ohm, SOIC, Montage en surface
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4425FDY-T1-GE3
Code Commande3253826
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
5 194 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,799 € |
| 50+ | 0,588 € |
| 100+ | 0,400 € |
| 500+ | 0,335 € |
| 1000+ | 0,285 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4425FDY-T1-GE3
Code Commande3253826
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id18.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0095ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.2V
Dissipation de puissance4.8W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Qualification-
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
18.3A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
4.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0095ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits