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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
2500+ | 0,330 € |
7500+ | 0,289 € |
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Minimum: 2500
Multiple: 2500
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4162DY-T1-GE3
Code Commande4320160
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id19.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON7900µohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
19.3A
Type de boîtier de transistor
SOIC
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7900µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000134
Traçabilité des produits