Imprimer la page
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 3.8 A, 0.102 ohm, TSOP, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
4 704 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,494 € |
| 10+ | 0,345 € |
| 100+ | 0,258 € |
| 500+ | 0,198 € |
| 1000+ | 0,159 € |
| 5000+ | 0,155 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 5
Multiple: 5
2,47 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3474DV-T1-GE3
Code Commande2400361
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id3.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.102ohm
Type de boîtier de transistorTSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max-V
Dissipation de puissance3.6W
Nbre de broches6Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI3474DV-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode de renforcement, canal N TrenchFET® 100VDS adapté pour les commutateurs de charge, les convertisseurs de puissance, le rétroéclairage LED dans les téléviseurs LCD et les convertisseurs DC-DC.
- Testé 100% Rg
- Testé UIS 100%
- Sans halogène
- Température d'utilisation -55 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
3.8A
Type de boîtier de transistor
TSOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
3.6W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.102ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
-V
Nbre de broches
6Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits