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| 1+ | 0,372 € |
| 10+ | 0,286 € |
| 100+ | 0,244 € |
| 500+ | 0,192 € |
| 1000+ | 0,173 € |
| 5000+ | 0,141 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2336DS-T1-GE3
Code Commande1858945
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id5.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.042ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max400mV
Dissipation de puissance1.8W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- MOSFET de puissance TrenchFET® canal N 30V (D-S)
- Testé à 100% Rg
- Utilisé dans les convertisseurs DC/DC, les convertisseurs élévateurs
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5.2A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.042ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
400mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2336DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Germany
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008