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SI2308BDS-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 2.3 A, 0.156 ohm, TO-236, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
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| 500+ | 0,290 € |
| 1500+ | 0,240 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2308BDS-T1-GE3
Code Commande1838997RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id2.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.156ohm
Type de boîtier de transistorTO-236
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance1.09W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le SI2308BDS-T1-GE3 est un MOSFET de puissance canal N TrenchFET® avec température d'utilisation de 175°C
- Testé 100% Rg
- Testé 100% UIS
- Tension Grille/Source ±20V
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.3A
Type de boîtier de transistor
TO-236
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.09W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.156ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :United States
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00004
Traçabilité des produits