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SI2308BDS-T1-E3
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,622 € |
| 25+ | 0,462 € |
| 50+ | 0,393 € |
| 100+ | 0,323 € |
| 250+ | 0,285 € |
| 500+ | 0,247 € |
| 1000+ | 0,210 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2308BDS-T1-E3
Code Commande2459410
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id2.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.13ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance1.66W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
2.3A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.66W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.13ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2308BDS-T1-E3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000043
Traçabilité des produits