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100+ | 0,300 € |
500+ | 0,229 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2307CDS-T1-GE3
Code Commande1779262
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id3.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.073ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance1.1W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le SI2303CDS-T1-GE3 est un MOSFET de puissance à mode d'enrichissement en canal P, TrenchFET® 30VDS, adapté aux applications de commutation de charge
- Sans halogène conformément à la définition IEC 61249-2-21
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
3.5A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
1.1W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.073ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2307CDS-T1-GE3
5 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000136
Traçabilité des produits