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SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET de puissance, Canal P, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Montage en surface
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|---|---|
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| 9000+ | 0,0996 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2305CDS-T1-GE3
Code Commande3879328
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..8V
Courant de drain Id5.8A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.028ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max400mV
Dissipation de puissance1.7W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
5.8A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.7W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Tension Vds max..
8V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.028ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
400mV
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits