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SI2300DS-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2300DS-T1-GE3
Code Commande2459407
Fiche technique
Type de canalN Channel
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id3.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.068ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorSurface Mount
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max600mV
Dissipation de puissance1.7W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
N Channel
Courant de drain Id
3.6A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
1.7W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.068ohm
Montage transistor
Surface Mount
Tension de seuil Vgs Max
600mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2300DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000044
Traçabilité des produits