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IRFP26N60LPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Traversant
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRFP26N60LPBF
Code Commande3772700
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id26A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.25ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance470W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHC0
Produits de remplacement pour IRFP26N60LPBF
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
26A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
470W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.25ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
0
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :0
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits