Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
6 487 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 0,765 € |
10+ | 0,694 € |
100+ | 0,520 € |
500+ | 0,504 € |
1000+ | 0,474 € |
5000+ | 0,444 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
0,76 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantIRF820PBF
Code Commande8648514
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds500V
Courant de drain Id2.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON3ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance40W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
L'IRF820PBF est un MOSFET de puissance canal N de 500V. Ce MOSFET de puissance de troisième génération offre au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception robuste et de faible résistance. Le boîtier est universellement préférée pour toutes les applications commerciales, industrielles avec des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50W.
- dV/dt dynamique
- Avalanche répétitive
- Température d'utilisation de 150°C
- Mise en parallèle simple
- Nécessite un simple Driver
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.5A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
40W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
500V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IRF820PBF
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002
Traçabilité des produits