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BAV21W-E3-08
Diode signaux faibles, Une, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 1 A
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,152 € |
| 50+ | 0,0953 € |
| 100+ | 0,0772 € |
| 500+ | 0,0619 € |
| 1500+ | 0,0524 € |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantBAV21W-E3-08
Code Commande2889134
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive250V
Courant direct moyen200mA
Tension directe max1.25V
Temps de redressement en inverse50ns
Courant de surtension vers l'avant1A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSOD-123
Nbre de broches2Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Diode de commutation, petit signal, haute tension pour un usage général
- Qualification AEC-Q101
- Diode planaire épitaxiale en silicium
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
200mA
Temps de redressement en inverse
50ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension inverse crête répétitive
250V
Tension directe max
1.25V
Courant de surtension vers l'avant
1A
Type de boîtier de diode
SOD-123
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.011
Traçabilité des produits