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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantBAV103-GS18
Code Commande1612356
Gamme de produitBAV10
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive250V
Courant direct moyen250mA
Tension directe max1V
Temps de redressement en inverse50ns
Courant de surtension vers l'avant1A
Température d'utilisation Max.175°C
Type de boîtier de diodeSOD-80 (MiniMELF)
Nbre de broches2Broche(s)
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitBAV10
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le BAV103-GS18 est une diode de commutation petit signal planaire épitaxiale en silicium haute tension pour les applications générales.
- Tension inverse 200V VR
- Qualification AEC-Q101
- Température de jonction de 175°C
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
250mA
Temps de redressement en inverse
50ns
Température d'utilisation Max.
175°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Gamme de produit
BAV10
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension inverse crête répétitive
250V
Tension directe max
1V
Courant de surtension vers l'avant
1A
Type de boîtier de diode
SOD-80 (MiniMELF)
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour BAV103-GS18
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Australia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Australia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001
Traçabilité des produits