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TP65H480G4JSGB-TR
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 3.6 A, 0.56 ohm, 5 nC, PQFN, Montage en surface
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FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H480G4JSGB-TR
Code Commande4371981
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
947 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,020 € |
| 10+ | 2,310 € |
| 100+ | 1,620 € |
| 500+ | 1,420 € |
| 1000+ | 1,360 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
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3,02 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H480G4JSGB-TR
Code Commande4371981
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id3.6A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.56ohm
Charge de porte Typique5nC
Type de boîtier de transistorPQFN
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches8Broche(s)
Gamme de produitSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.56ohm
Type de boîtier de transistor
PQFN
Nbre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
3.6A
Charge de porte Typique
5nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :1.12
Traçabilité des produits