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TP65H070G4LSGB-TR
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 650 V, 29 A, 0.085 ohm, 8.4 nC, PQFN, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H070G4LSGB-TR
Code Commande4371970RL
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 10+ | 5,520 € |
| 50+ | 5,080 € |
| 100+ | 4,880 € |
| 250+ | 4,780 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantRENESAS
Réf. FabricantTP65H070G4LSGB-TR
Code Commande4371970RL
Gamme de produitSuperGaN Series
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id29A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.085ohm
Charge de porte Typique8.4nC
Type de boîtier de transistorPQFN
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches8Broche(s)
Gamme de produitSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.085ohm
Type de boîtier de transistor
PQFN
Nbre de broches
8Broche(s)
Qualification
-
Courant de drain Id
29A
Charge de porte Typique
8.4nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :1.42