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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 53,230 € |
5+ | 52,800 € |
10+ | 47,640 € |
50+ | 46,000 € |
Informations produit
Aperçu du produit
The TS1GLK64V3H is a 512M x 8 DRAM high-speed low power memory DDR3 Unbuffered DIMM use DDR3 SDRAM and a 2048 bits serial EEPROM on a 240-pin printed circuit board. It is a Dual In-Line Memory Module and is intended for mounting into 240-pin edge connector sockets. The synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. The data I/O transactions are possible on both edges of DQS, range of operation frequencies, programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
- 8-bit Pre-fetch
- Internal calibration through ZQ pin
- On die termination with ODT pin
- Serial presence detect with EEPROM
- Asynchronous reset
Spécifications techniques
8GB
PC3-10600
DIMM pour PC de bureau
1.575V
0°C
-
1333MHz
DDR3 DIMM 240 broches
1.425V
1.5V
85°C
No SVHC (14-Jun-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit