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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTW048N65C,S1F(S
Code Commande4049753
Egalement appeléTW048N65C ,TW048N65C,S1F
Fiche technique
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 17,760 € |
5+ | 14,590 € |
10+ | 11,420 € |
50+ | 11,280 € |
100+ | 11,130 € |
250+ | 10,980 € |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTW048N65C,S1F(S
Code Commande4049753
Egalement appeléTW048N65C ,TW048N65C,S1F
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id40A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.065ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance132W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.065ohm
Nbre de broches
3Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
5V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
To Be Advised
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
132W
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.006
Traçabilité des produits