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TPN2010FNH,L1Q(M
MOSFET de puissance, Canal N, 250 V, 9.9 A, 0.198 ohm, TSON, Montage en surface
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5000+ | 1,020 € |
| 15000+ | 0,691 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 5000
Multiple: 5000
5 100,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPN2010FNH,L1Q(M
Code Commande4338971
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds250V
Courant de drain Id9.9A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.198ohm
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance39W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
9.9A
Type de boîtier de transistor
TSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
39W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
250V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.198ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits