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TPH8R80ANH,L1Q(M
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 59 A, 0.0074 ohm, SOP, Montage en surface
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FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH8R80ANH,L1Q(M
Code Commande3872554
Egalement appeléTPH8R80ANH ,TPH8R80ANH,L1Q
Fiche technique
1 864 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 3,500 € |
| 50+ | 2,780 € |
| 250+ | 2,000 € |
| 1000+ | 1,640 € |
| 3000+ | 1,610 € |
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. FabricantTPH8R80ANH,L1Q(M
Code Commande3872554
Egalement appeléTPH8R80ANH ,TPH8R80ANH,L1Q
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id59A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0074ohm
Type de boîtier de transistorSOP
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance61W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
59A
Type de boîtier de transistor
SOP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
61W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0074ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits