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FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SC5200-O(Q)
Code Commande3870093
Egalement appelé2SC5200
Fiche technique
Disponible sur commande
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | 4,020 € |
10+ | 2,640 € |
100+ | 1,860 € |
500+ | 1,540 € |
1000+ | 1,500 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
4,02 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantTOSHIBA
Réf. Fabricant2SC5200-O(Q)
Code Commande3870093
Egalement appelé2SC5200
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max230V
Courant Collecteur Continu15A
Dissipation de puissance150W
Type de boîtier de transistorTO-3PL
Montage transistorTraversant
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition30MHz
Gain de courant DC hFE Min.55hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
Le 2SC5200-O(Q) est un transistor NPN en silicium, triple diffusion pour application d'amplificateur de puissance.
- Tension de claquage élevée VCEO = 230V (min)
- Complémentaire au 2SA1943
- Convient pour une utilisation dans l'étage de sortie d'un amplificateur audio haute fidélité de 100W
- Dissipation de puissance du collecteur 150W (Tc = 25°C), capacité de sortie du collecteur 200pF (VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz)
- Courant de coupure du collecteur 5μA max (VCB = 230V, IE = 0A, Ta = 25°C)
- Courant de coupure de l'émetteur 5μA max (VEB = 5V, IC = 0A, Ta = 25°C)
- Tension de claquage collecteur-émetteur de 230V min (IC= 50mA, IB = 0A, Ta = 25°C)
- Tension de saturation collecteur-émetteur de 0,4V typ (IC = 8A, IB = 0,8A, TA = 25°C)
- Fréquence de transition de 30MHz typ. (VCE = 5V, IC = 1A, Ta = 25°C)
- Température de jonction de 150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
15A
Type de boîtier de transistor
TO-3PL
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
55hFE
Gamme de produit
-
SVHC
To Be Advised
Tension Collecteur Emetteur Max
230V
Dissipation de puissance
150W
Montage transistor
Traversant
Fréquence de transition
30MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Japan
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.009525
Traçabilité des produits