LM101AH/NOPB

La série LM101AH/NOPB offre des amplificateurs opérationnels à usage général qui présentent des performances améliorées par rapport aux normes de l'industrie comme le LM709. Les techniques de traitement avancées permettent une réduction de l'ordre de grandeur dans les courants d'entrée et une refonte des circuits de polarisation réduit la dérive de température du courant d'entrée. Cet amplificateur offre de nombreuses fonctionnalités qui rendent son application presque infaillible, une protection contre les surcharges sur l'entrée et la sortie, sans verrouillage lorsque la plage de mode commun est dépassée et qui ne s'exerce pas contre les oscillations et la compensation avec un seul condensateur 30pF. Il présente des avantages par rapport aux amplificateurs à compensation interne en ce sens que la compensation de fréquence peut être adaptée à une application particulière. Par exemple, dans les circuits à basse fréquence, il peut être surcompensé pour une marge de stabilité accrue ou la compensation peut être optimisée pour donner plus d'un facteur de dix amélioration des performances à haute fréquence pour la plupart des applications.

• Tension d'Offset 3mV (Dépassement de température maximale)
• Tension d'Offset 100mV (Dépassement de température maximale)
• Tension d'Offset 20nA (Dépassement de température maximale)
• Caractéristiques de dérive spécifiées
• Offsets spécifiés pour le mode commun complet et toute la plage de tension d'alimentation
• Vitesse de balayage de 10V/μs comme amplificateur de sommation
• Produit écologique, sans Sb/Br

Avertissements

Ce composant possède une protection ESD intégrée limitée. Les conducteurs doivent être court-circuités ou le circuit placé dans de la mousse conductrice pendant le stockage ou la manipulation pour éviter aux portes MOS de subir des dommages électrostatiques.

Remarques

Ce composant possède une protection ESD intégrée limitée. Les conducteurs doivent être court-circuités ou le circuit placé dans de la mousse conductrice pendant le stockage ou la manipulation pour éviter aux portes MOS de subir des dommages électrostatiques.