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FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantES1DL R3G
Code Commande1559127
Gamme de produitES1D
Fiche technique
Informations produit
FabricantTAIWAN SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantES1DL R3G
Code Commande1559127
Gamme de produitES1D
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen1A
Configuration diodeUne
Tension directe max950mV
Temps de redressement en inverse35ns
Courant de surtension vers l'avant30A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diodeSub SMA
Nbre de broches2 broches
Gamme de produitES1D
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produits de remplacement pour ES1DL R3G
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
La ES1DL est une diode de redressement ultra-rapide pour montage en surface avec un boîtier en plastique Sub-SMA et des bornes plaquées étain pur sans plomb.
- Cathode avec bande de couleur
- Boîtier bas profil
- Faible perte de puissance, Rendement élevé
- Idéale pour le placement automatique
- Jonction verre passivé
- Brasage haute température sur les bornes 260°C/10sec
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Une
Temps de redressement en inverse
35ns
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2 broches
Qualification
-
Courant direct moyen
1A
Tension directe max
950mV
Courant de surtension vers l'avant
30A
Type de boîtier de diode
Sub SMA
Gamme de produit
ES1D
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0015