VNS3NV04DPTR-E

Le VNS3NV04DPTR-E est un MOSFET de puissance entièrement protégé automatiquement OMNIFET II pour l'automobile. Il est composé de deux puces monolithiques (OMNIFET II) logées dans un boîtier standard. L'OMNIFET II est conçu à l'aide de la technologie STMicroelectronics VI Power M0-3 et il est destiné au remplacement des MOSFETs de puissance standard dans les applications DC jusqu'à 50kHz. L'arrêt thermique intégré, la limitation de courant linéaire et la bride de surtension protègent le circuit dans les environnements difficiles. Le retour d'erreur peut être détecté en surveillant tension sur la broche d'entrée.

• Qualifié AEC-Q100, limitation de courant linéaire
• Coupure thermique, protection contre les courts-circuits, pince intégrée
• Courant faible tiré de la broche d'entrée
• Retour de diagnostic via broche d'entrée, protection ESD
• Accès direct à la porte du MOSFET de puissance (Pilote analogique)
• Compatible avec les MOSFET de puissance standard
• Résistance statique drain-source de 0,34mohm MAX (VIN = 5V, ID = 1,5A, Tj = 25°C)
• La limite de courant de drain est de 5A typ. (VIN = 5V ; VDS = 13V, -40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
• Tension de serrage drain-source 45V typ. (VIN = 0V, ID = 1,5A, -40°C <lt/> Tj <lt/> 150°C)
• Boîtier SO-8, Plage de température de -40°C à 150°C

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.