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TIP112
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 100 V, 50 W, 2 A, TO-220, 3 Broche(s)
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| 10+ | 0,587 € |
| 100+ | 0,520 € |
| 500+ | 0,405 € |
| 1000+ | 0,368 € |
| 5000+ | 0,303 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantTIP112
Code Commande9803971
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd50W
Courant de collecteur DC2A
Boîtier de transistor RFTO-220
Nombre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE500hFE
Montage transistorTraversant
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le TIP112 est un transistor de puissance à base épitaxiale en silicium complémentaire NPN en configuration Darlington monolithique monté dans un boîtier en plastique JEDEC. Conçu pour les applications de commutation et de puissance moyenne linéaire
- Diode à collecteur-émetteur anti parallèle intégré
- Le type complémentaire PNP est le TIP117
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Dissipation de puissance Pd
50W
Boîtier de transistor RF
TO-220
Gain en courant DC hFE
500hFE
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant de collecteur DC
2A
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour TIP112
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002