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STPSC8H065DLF
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 650 V, 8 A, 26 nC, PowerFLAT
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|---|---|
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| 10+ | 1,910 € |
| 100+ | 1,800 € |
| 500+ | 1,680 € |
| 1000+ | 1,570 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTPSC8H065DLF
Code Commande3018772
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen8A
Charge Capacitive Totale26nC
Type de boîtier de diodePowerFLAT
Nbre de broches5 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
26nC
Nbre de broches
5 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
8A
Type de boîtier de diode
PowerFLAT
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0017
Traçabilité des produits