STPSC30H12CWL

Les diodes Schottky au carbure de silicium de STMicroelectronics tirent parti des performances impressionnantes du SiC par rapport au silicium standard. Le fait de doubler ou de tripler la bande interdite par rapport au silicium signifie que les dispositifs SIC peuvent tolérer des tensions et des champs électriques beaucoup plus élevés. Les caractéristiques de faible récupération inverse augmentent l'efficacité de tous les systèmes grâce à leur faible tension directe et font des diodes en carbure de silicium de ST un facteur clé d'économie d'énergie. Ces économies se retrouvent dans les applications SMPS ainsi que dans la conversion de l'énergie solaire, les stations de recharge pour véhicules électriques ou hybrides, etc. Le produit va de 600V à 1200Vin.