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STPSC10H12B2-TR
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,720 € |
| 5+ | 4,220 € |
| 10+ | 3,720 € |
| 50+ | 3,420 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTPSC10H12B2-TR
Code Commande3680090
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen10A
Charge Capacitive Totale57nC
Type de boîtier de diodeDPAK-HV
Nbre de broches2 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
57nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
10A
Type de boîtier de diode
DPAK-HV
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00035
Traçabilité des produits