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STPSC10065GY-TR
Diode Schottky carbure de silicium, Une, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,590 € |
| 10+ | 2,640 € |
| 100+ | 1,940 € |
| 500+ | 1,640 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTPSC10065GY-TR
Code Commande4035995
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen10A
Charge Capacitive Totale34nC
Type de boîtier de diodeTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
34nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
10A
Type de boîtier de diode
TO-263 (D2PAK)
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00138
Traçabilité des produits