Imprimer la page
STP20NM50
MOSFET de puissance, Canal N, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Traversant
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP20NM50
Code Commande1653679
Gamme de produitSTP
Fiche technique
5 410 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,840 € |
| 10+ | 2,410 € |
| 100+ | 2,390 € |
| 500+ | 2,340 € |
| 1000+ | 2,290 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
4,84 € (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP20NM50
Code Commande1653679
Gamme de produitSTP
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds550V
Courant de drain Id20A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.25ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance192W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSTP
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Le STP20NM50 est un MOSFET de puissance à canal N MDmesh™ qui associe le processus de drain multiple à la disposition horizontale PowerMESH ™. L'appareil présente une résistance à l'état passant exceptionnelle, un dV/dt incroyablement élevé et d'excellentes caractéristiques d'avalanche et des performances dynamiques.
- Capacités élevées de dv/dt et d'avalanche
- Test Avalanche 100%
- Faible capacité d'entrée et charge de grille
- Faible résistance d'entrée de grille
- Gamme de température de jonction de -65 à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
20A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
192W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
550V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.25ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
STP
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002041