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STP18N65M2
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP18N65M2
Code Commande3367068
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
617 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,430 € |
| 10+ | 1,420 € |
| 100+ | 1,320 € |
| 500+ | 1,000 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTP18N65M2
Code Commande3367068
Gamme de produitMDmesh M2
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..650V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.275ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance110W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitMDmesh M2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
110W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.275ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh M2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0019
Traçabilité des produits