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STH65N050DM9-7AG
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,560 € |
| 5+ | 7,110 € |
| 10+ | 5,630 € |
| 50+ | 5,350 € |
| 100+ | 5,070 € |
| 250+ | 4,980 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTH65N050DM9-7AG
Code Commande4691504
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id51A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.05ohm
Type de boîtier de transistorH2PAK
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance266W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
51A
Type de boîtier de transistor
H2PAK
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
266W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
0
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.05ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits