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STGWT80H65DFB
IGBT, 120 A, 1.6 V, 469 W, 650 V, TO-3P, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWT80H65DFB
Code Commande2807181
Gamme de produitHB
Fiche technique
51 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 6,940 € |
| 5+ | 6,880 € |
| 10+ | 6,820 € |
| 50+ | 4,110 € |
| 100+ | 3,810 € |
| 250+ | 3,500 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWT80H65DFB
Code Commande2807181
Gamme de produitHB
Fiche technique
Courant Collecteur Continu120A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance469W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-3P
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitHB
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
120A
Dissipation de puissance
469W
Type de boîtier de transistor
TO-3P
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
HB
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007203
Traçabilité des produits