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STGWA20IH65DF
IGBT, 40 A, 1.55 V, 159 W, 650 V, TO-247LL, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA20IH65DF
Code Commande3581060
Gamme de produitIH
Fiche technique
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGWA20IH65DF
Code Commande3581060
Gamme de produitIH
Fiche technique
Courant Collecteur Continu40A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.55V
Dissipation de puissance159W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-247LL
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitIH
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
40A
Dissipation de puissance
159W
Type de boîtier de transistor
TO-247LL
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
IH
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.55V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0061