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STGP4M65DF2
IGBT, 8 A, 1.6 V, 68 W, 650 V, TO-220, 3 Broche(s)
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGP4M65DF2
Code Commande2729669
Gamme de produitM
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,825 € |
| 10+ | 0,354 € |
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| 1000+ | 0,350 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTGP4M65DF2
Code Commande2729669
Gamme de produitM
Fiche technique
Courant Collecteur Continu8A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.6V
Dissipation de puissance68W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-220
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produitM
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
8A
Dissipation de puissance
68W
Type de boîtier de transistor
TO-220
Température de fonctionnement max..
175°C
Gamme de produit
M
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.6V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nombre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
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Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0019
Traçabilité des produits