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STF33N60M2
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 26 A, 0.108 ohm, TO-220FP, Traversant
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FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF33N60M2
Code Commande2807260
Gamme de produitMDmesh II Plus
Fiche technique
586 En Stock
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| 50+ | 3,470 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTF33N60M2
Code Commande2807260
Gamme de produitMDmesh II Plus
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id26A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.108ohm
Type de boîtier de transistorTO-220FP
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance35W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMDmesh II Plus
Qualification-
Aperçu du produit
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
26A
Type de boîtier de transistor
TO-220FP
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
35W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.108ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
MDmesh II Plus
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour STF33N60M2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0023