Imprimer la page
STD35NF06LT4
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 17.5 A, 0.014 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
25 191 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,530 € |
| 10+ | 1,160 € |
| 100+ | 0,867 € |
| 500+ | 0,656 € |
| 1000+ | 0,593 € |
| 5000+ | 0,540 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,53 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSTD35NF06LT4
Code Commande1752034
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id17.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.014ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance80W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The STD35NF06LT4 is a 60V N-channel Power MOSFET developed using unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the MOSFET suitable for use as primary switch in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
- Low threshold drive
- Gate charge minimized
- High peak power
- High ruggedness capability
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
17.5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
80W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.014ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000419
Traçabilité des produits