SCTL90N65G2V

Le SCTL90N65G2V est un MOSFET en carbure de silicium MOSFET de puissance. Ce composant MOSFET de puissance en carbure de silicium a été développé à l'aide de la technologie avancée et innovante SiC MOSFET de 2e génération de ST. Le composant présente une résistance à l'état passant par unité de surface remarquablement faible et de très bonnes performances de commutation. La variation de la perte de commutation est presque indépendante de la température de jonction. Les applications typiques sont les alimentations à découpage, les convertisseurs DC-DC et les commandes de moteurs industriels.

• Diode à corps intrinsèque très rapide et robuste, faibles capacités
• Broche de mesure source pour une efficacité accrue
• Tension de claquage drain-source de 650V minimum à VGS=0V, ID= 1mA
• La résistance statique drain-source à l'état passant est de 24 mohms maximum à VGS = 18V, ID = 40A
• Courant de Drain (continu) 40A à TC = 25°C
• Capacité d'entrée de 3380pF typique à VDS= 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
• Temps de montée 38ns à VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2,2 ohms, VGS = -5V à 18V.
• Pack PowerFLAT 8x8 HT
• Température de jonction de -55 à 175°C