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SCT20N120
MOSFET en carbure de silicium, Simple, Canal N, 20 A, 1.2 kV, 0.169 ohm, HiP247
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT20N120
Code Commande2807234
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id20A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.169ohm
Type de boîtier de transistorHiP247
Nbre de broches3Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance175W
Température d'utilisation Max.200°C
Gamme de produit-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
20A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.169ohm
Nbre de broches
3Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Température d'utilisation Max.
200°C
MSL
-
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
HiP247
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
175W
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00655