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SCT040HU120G3AG
MOSFET en carbure de silicium, AEC-Q101, Simple, Canal N, 40 A, 1.2 kV, 0.049 ohm, HU3PAK
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| 1+ | 15,830 € |
| 5+ | 14,250 € |
| 10+ | 12,670 € |
| 50+ | 12,330 € |
| 100+ | 11,990 € |
| 250+ | 11,750 € |
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Informations produit
FabricantSTMICROELECTRONICS
Réf. FabricantSCT040HU120G3AG
Code Commande4632681
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id40A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.049ohm
Type de boîtier de transistorHU3PAK
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max4.2V
Dissipation de puissance300W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
40A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.049ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.2V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
HU3PAK
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
300W
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Morocco
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :2.32